Cache Memory Controller：是否使用高速缓存。不在流行的Award BIOS中使用。

　　Shadow RAM Option：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成死机。

　　Internal Cache Memory：是否使用CPU内部缓存（一级缓存）。可以提高系统性能。
　　External Cache Memory：是否使用CPU外部缓存（主板上的二级缓存）。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。
　　Concurrent Refresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。

　　DRAM Read Wait State：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

　　DRAM Write Wait State：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。

　　Slow Refresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。

　　Shadow Cachecable：把映射到常规内存的BIOS ROM增加高速缓存，使性能更进一步。

　　Page Mode：使内存工作于Page Mode或Page Interleaved模式。

　　RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期 自动复位为0。

　　Memory Relocation：内存重新定位。即将384的上位内存（Upper Memory Block）数据转储到1MB以上的扩展内存中。

　　Memory Hole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。

　　DRMA Timing Setting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。

　　Fast MA to RAS Delay：设置内存地址（Memory Address）到内存行地址触发信号（RAS）之间的延迟时间。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把数据写如高速缓存后，再写如内存的延迟时间。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存前的时间。

　　DRAM Speculative Read：设置成允许时，读内存的时间比正常时间提前一个时间周期，可以提高系统性能。

　　DRAM Data Integrity Mode：选择内存校验方式是Parity或ECC。

　　Refresh RAS Assertion：设置内存的行地址刷新时间周期，对质量好的内存可以延迟刷新，从而提高系统性能。

　　RAS Recharge Period：内存行地址信号预先充电所需要的时间。

　　Fast EDO Path Select：设置选择对EDO内存读/写的快速途径，可以提高系统性能。

　　SDRAM RAS Latency：设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟。

　　SDRAM RAS Timing：设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间，也即刷新时间。

　　Peer Concurrency：为提高系统并行，使CPU对高速缓存或内存或PCI设备，或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行。系统智能越高，同CPU并行的操作越多，性能提高越多。